低本底v能谱仪厂家-中核控制有限公司-单路低本底v能谱仪厂家

单路低本底α、β测量仪简介

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技术性能

β效率本底：仪器对于90sr-90y β（活性区φ20mm）源的2π探测效率比***50%时，本底≤0.15cm-2min-1；

α效率本底：仪器对于239puα（活性区φ30mm）源的2π效率比***80%时，本底≤0.005 cm-2min-1；

α/β交叉性能：α进入β道<3%（对239pu）；β进入α道<0.5%（对于90sr-90y）；

α/β交叉性能：β进入α道<0.5%（对于90sr-90y）；

效率稳定性：仪器连续通电8小时以上，各路探测器效率变化小于±5%；

本底稳定性：在1000min的测量时间内，本底计数变化在（nb±3σ）的范围内，其中nb 为本底计数的平均值，σ为本底计数的标准误差；

绝缘电阻：***2兆欧姆；

耐压绝缘度：＞1500v；

使用环境

电源电压：交流220v±10%，50hz，功耗≤20w。

环境温度：5～40℃

相对湿度：＜90%。

尺寸重量：320mm×245mm×630mm，六路低本底v能谱仪厂家，总重量约200kg。

低本底大面积 α 屏栅电离室

2.1 屏栅电离室的结构和主要参数

为防止样品制备过程中丢失核素，也为省去通常比较费时的化学分离，把待测介质薄薄地铺成大面积薄样是很理想的 α 能谱分析方法。

2.2 大面积源样品的制备

为利用屏栅电离室进行 α 能谱分析，双路低本底v能谱仪厂家，制备出符合要求的大面积均匀薄源是十分关键的。假若样品本身不够薄 和不均匀，那探测器本身的能量分辨本领再高也是没有用的，因为样品自吸收会产生很大的 α 能谱的“尾巴 ”，从而使对 α 能谱的分辨本领遭到---破坏。