中核控制-四路低本底多道-四路低本底多道生产厂家

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    2023-5-14

陈先生
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低本底的铅室

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铅室

1、分体式全新上层铅室,四路低本底多道生产厂家,结构紧凑,更小体积,四路低本底多道价格,屏蔽效果---

2、一体化下层铅室,重点心下移,

3、可拆卸中间层,安装拆卸独立,方便,提供单通道,双通道,四路低本底多道,四通道及六通道送样抽屉

4、低本底(对α<8cp6000s, 对β<230cp6000s)





低本底大面积 α 屏栅电离室

2.1 屏栅电离室的结构和主要参数

为防止样品制备过程中丢失核素,也为省去通常比较费时的化学分离,把待测介质薄薄地铺成大面积薄样是很理想的 α 能谱分析方法。

2.2 大面积源样品的制备

为利用屏栅电离室进行 α 能谱分析,制备出符合要求的大面积均匀薄源是十分关键的。假若样品本身不够薄 和不均匀,那探测器本身的能量分辨本领再高也是没有用的,四路低本底多道供应商,因为样品自吸收会产生很大的 α 能谱的“尾巴 ”,从而使对 α 能谱的分辨本领遭到---破坏。







低本底α、β测量仪的技术参数介绍

技术参数

1.对239pu α标准源的2π探测效率***85%时,本底≤0.08个计数cm-2h-1,典型值为 0.02个计数cm-2h-1。

2.对于90sr-90y β标准源2π探测效率***40%时,本底≤0.08个计数cm-2min-1,典 型值为0.03个计数cm-2min-1。

3.混道性能:α进入β道的计数效率≤1%,β进入α道的计数效率为零。

4.稳定性:8h后,α效率变化在±≤5%;β效率变化在±≤10%范围内。

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