金硅面垒半导体探测器己广泛用于 α 能谱分析。 它们的灵敏面积在 25 ～ 450 mm2，抽空使用时能量分辨率（对 5. 5 mev）好可达到 13～30 kev。 但是通常作为环境样品低水平α能谱分析用的半导体探测器，一般只能采用较大面积（如直径 2. 5 cm 左右），单路低本底批发，而且总是在室温下不必抽空使用，因此其能量分辨本领半高全宽（fwhm）一般可能要大于 50 ～60 kev。
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技术参数
1.对239pu α标准源的2π探测效率***85%时，本底≤0.08个计数cm-2h-1，典型值为 0.02个计数cm-2h-1。
2.对于90sr-90y β标准源2π探测效率***40%时，本底≤0.08个计数cm-2min-1，典 型值为0.03个计数cm-2min-1。
3.混道性能：α进入β道的计数效率≤1%，单路低本底报价，β进入α道的计数效率为零。
4.稳定性：8h后，α效率变化在±≤5%；β效率变化在±≤10%范围内。
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