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控制器
1、仪器采用模块化设计,标准插道式控制器,方便自由组合
2、技术:采用高速性能同步采集控制器,真正实现所有通道完全独立同步采集
3、阈值均通过计算机调节,调节精度0.01v
4、高压通过电位器调节外部控制,调节精度0.3v,二路低本底αβ测量仪生产厂家,避免测量过程中软件误操作,导致光电倍增管工作电压偏离。
5、实际高压均可实时监测,二路低本底αβ测量仪批发,实现闭环控制高压,准确稳定。
6、仪器采用rs-232连接计算机,软件实现全程控制。
金硅面垒半导体探测器己广泛用于 α 能谱分析。 它们的灵敏面积在 25 ~ 450 mm2,抽空使用时能量分辨率(对 5. 5 mev)好可达到 13~30 kev。 但是通常作为环境样品低水平α能谱分析用的半导体探测器,二路低本底αβ测量仪供应商,一般只能采用较大面积(如直径 2. 5 cm 左右),而且总是在室温下不必抽空使用,低本底αβ测量仪,因此其能量分辨本领半高全宽(fwhm)一般可能要大于 50 ~60 kev。
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技术性能
β效率本底:仪器对于90sr-90y β(活性区φ20mm)源的2π探测效率比***50%时,本底≤0.15cm-2min-1;
α效率本底:仪器对于239puα(活性区φ30mm)源的2π效率比***80%时,本底≤0.005 cm-2min-1;
α/β交叉性能:α进入β道<3%(对239pu);β进入α道<0.5%(对于90sr-90y);
α/β交叉性能:β进入α道<0.5%(对于90sr-90y);
效率稳定性:仪器连续通电8小时以上,各路探测器效率变化小于±5%;
本底稳定性:在1000min的测量时间内,本底计数变化在(nb±3σ)的范围内,其中nb 为本底计数的平均值,σ为本底计数的标准误差;
绝缘电阻:***2兆欧姆;
耐压绝缘度:>1500v;
使用环境
电源电压:交流220v±10%,50hz,功耗≤20w。
环境温度:5~40℃
相对湿度:<90%。
尺寸重量:320mm×245mm×630mm,总重量约200kg。
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