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技术性能
β效率本底:仪器对于90sr-90y β(活性区φ20mm)源的2π探测效率比***50%时,本底≤0.15cm-2min-1;
α效率本底:仪器对于239puα(活性区φ30mm)源的2π效率比***80%时,单路低本底ab测量系统厂家,本底≤0.005 cm-2min-1;
α/β交叉性能:α进入β道<3%(对239pu);β进入α道<0.5%(对于90sr-90y);
α/β交叉性能:β进入α道<0.5%(对于90sr-90y);
效率稳定性:仪器连续通电8小时以上,各路探测器效率变化小于±5%;
本底稳定性:在1000min的测量时间内,本底计数变化在(nb±3σ)的范围内,其中nb 为本底计数的平均值,两路低本底ab测量系统厂家,σ为本底计数的标准误差;
绝缘电阻:***2兆欧姆;
耐压绝缘度:>1500v;
使用环境
电源电压:交流220v±10%,双路低本底ab测量系统厂家,50hz,功耗≤20w。
环境温度:5~40℃
相对湿度:<90%。
尺寸重量:320mm×245mm×630mm,总重量约200kg。
金硅面垒半导体探测器己广泛用于 α 能谱分析。 它们的灵敏面积在 25 ~ 450 mm2,抽空使用时能量分辨率(对 5. 5 mev)好可达到 13~30 kev。 但是通常作为环境样品低水平α能谱分析用的半导体探测器,一般只能采用较大面积(如直径 2. 5 cm 左右),而且总是在室温下不必抽空使用,因此其能量分辨本领半高全宽(fwhm)一般可能要大于 50 ~60 kev。
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铅室
1、分体式全新上层铅室,结构紧凑,更小体积,低本底ab测量系统厂家,屏蔽效果---
2、一体化下层铅室,重点心下移,
3、可拆卸中间层,安装拆卸独立,方便,提供单通道,双通道,四通道及六通道送样抽屉
4、低本底(对α<8cp6000s, 对β<230cp6000s)
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