金硅面垒半导体探测器己广泛用于 α 能谱分析。 它们的灵敏面积在 25 ～ 450 mm2，抽空使用时能量分辨率（对 5. 5 mev）好可达到 13～30 kev。 但是通常作为环境样品低水平α能谱分析用的半导体探测器，一般只能采用较大面积（如直径 2. 5 cm 左右），二路水样前处理，而且总是在室温下不必抽空使用，因此其能量分辨本领半高全宽（fwhm）一般可能要大于 50 ～60 kev。
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