中核控制系统-低本格-两路低本格

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    2022-6-8

陈先生
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低本底的铅室

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铅室

1、分体式全新上层铅室,结构紧凑,更小体积,低本格,屏蔽效果---

2、一体化下层铅室,重点心下移,

3、可拆卸中间层,安装拆卸独立,方便,提供单通道,双通道,四通道及六通道送样抽屉

4、低本底(对α<8cp6000s, 对β<230cp6000s)



低本底大面积 α 屏栅电离室

2.1 屏栅电离室的结构和主要参数

为防止样品制备过程中丢失核素,也为省去通常比较费时的化学分离,把待测介质薄薄地铺成大面积薄样是很理想的 α 能谱分析方法。

2.2 大面积源样品的制备

为利用屏栅电离室进行 α 能谱分析,四路低本格,制备出符合要求的大面积均匀薄源是十分关键的。假若样品本身不够薄 和不均匀,那探测器本身的能量分辨本领再高也是没有用的,因为样品自吸收会产生很大的 α 能谱的“尾巴 ”,从而使对 α 能谱的分辨本领遭到---破坏。




单路低本底α、β测量仪简介

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技术性能

β效率本底:仪器对于90sr-90y β(活性区φ20mm)源的2π探测效率比***50%时,本底≤0.15cm-2min-1;

α效率本底:仪器对于239puα(活性区φ30mm)源的2π效率比***80%时,本底≤0.005 cm-2min-1;

α/β交叉性能:α进入β道<3%(对239pu);β进入α道<0.5%(对于90sr-90y);

α/β交叉性能:β进入α道<0.5%(对于90sr-90y);

效率稳定性:仪器连续通电8小时以上,各路探测器效率变化小于±5%;

本底稳定性:在1000min的测量时间内,本底计数变化在(nb±3σ)的范围内,其中nb 为本底计数的平均值,单路低本格,σ为本底计数的标准误差;

绝缘电阻:***2兆欧姆;

耐压绝缘度:>1500v;

使用环境

电源电压:交流220v±10%,50hz,功耗≤20w。

环境温度:5~40℃

相对湿度:<90%。

尺寸重量:320mm×245mm×630mm,总重量约200kg。



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